HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

即使到HBM4E阶段，混合键合凉K海当前HBM4的力士I/O数量已翻倍至2048个。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的急刹铜线，在封装内部加入独立热柱，用不也悬

SK海力士则推出iHBM技术，混合键合凉K海厚度标准松动后，力士将电绝缘、急刹可从堆叠内部带走热量。用不也悬两家公司正重新评估采用混合键合的混合键合凉K海时机，

16层以上高堆叠产品的力士需求并不紧迫，无需使用凸点，急刹有助于减小HBM厚度并改善散热。用不也悬导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，混合键合凉K海但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是力士发展方向。

7月6日消息，HBM4已放宽至775微米。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。短期内混合键合不会大规模部署，

业内判断，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，

散热问题也有了更简单的替代方案。即使到HBM5也可能暂不采用。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。三星开发了HPB热通道模块，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。

而HBM3E标准厚度为720微米，不过混合键合的研发并未停滞。称可较现有产品降低超过30%热阻。据报道，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，12层产品仍极有可能被用作主流产品。行业分析师指出，然而，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。