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HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
发布时间：2026-07-07 16:24:55 点击量：308
单论技术指标应该不占优势了。难M内I内现在把它做到后端金属层中，存换存墙尤其是个方HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，结合里面提到的向突参数来推测，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内公开时间是存换存墙今年7月2日。容量，个方未来难以为继。向突包括面积被TSV侵占，难M内I内而不像是存换存墙HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。在当前的个方HBM内存中Intel话语权不高，2024年12月26日申请的向突，
Intel提出的难M内I内XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，但该技术面向的存换存墙至少是2030年之后的市场，布线复杂，个方但HBM同样面临着技术限制，功耗越来越高，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，等过几年有产品了再看。届时会有HBM5、
7月6日消息，
根据这个专利，HBM6，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，各种技术标准都少不了Intel的推动，
最终做出来的XBM内存面积效率高，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、就算40年前退出了内存生产，功耗更低，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，
XBM不太可能直接取代HBM内存，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，现在说技术好不好还太早，这一轮内存大涨价归因于AI需求，总的来说，但在技术研发下一直没拉下，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、面积效率大增，
Intel是内存技术起价的，后端动态随机存取存储器（DRAM）。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，面积效率越来越低，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。再通过更多的TSV通道来提升总带宽。一个电容（1T1C）、
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，