澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速 计划年内完成工程研发

在最近的澜起两个季度实现出货量显著提升，以持续巩固技术领先地位。科技DDR5第三子代MRCD/MDB芯片支持速率预计将达到16000MT/s,第代 相比第二子代MRCD/MDB芯片的12800MT/s提升25%。

此外，片再

全球有两家供应商能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率8800MT/s），提速

在2025年1月，计划

据悉，年内产品凭借优异的完成性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可，澜起科技是工程其中之一。

7月3日消息，澜起预计新产品将成为推动公司未来成长的科技重要引擎。公司引领相关技术的第代创新并保持行业领先地位。澜起科技发布公告表示，片再随着相关新产品逐步进入规模商用阶段，提速作为MDB芯片国际标准的计划牵头制定者，澜起科技推出了第二子代MRCD/MDB芯片，澜起科技还在布局其他新产品，

此外，以太网及光互连相关产品等。澜起科技参与了MDB芯片国际标准（JEDEC）的制定工作。澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发，因此，以及公司产品组合的不断丰富，为后续产业放量奠定了基础。